Якщо товщина бази досить мала і концентрація дірок у ній невиліка, то більшість електронів, пройшовши через базу, не встигає рекомбінувати з дірками бази і досягає колекторного переходу. Лише невелика частина електронів рекомбінує в базі з дірками. В результаті цього виникає струм бази.

Сильне електричне поле зворотнозміщеного колекторного переходу захоплює неосновні носії бази (Електрони) і переносить їх в колекторний шар. Струм колектора, таким чином, практично дорівнює струму емітера, за винятком невеликої втрати на рекомбінацію в базі, яка і утворює струм бази (Iе = Iб + Iк).

Режими роботи Розрізняють такі режими роботи транзистора: • активний (або підсилювальний) режим має місце, коли емітерний перехід відкритий, а колекторний – закритий; • режим відсікання – коли обидва переходи закриті; • режим насичення – коли обидва переходи відкриті; • інверсний режим – коли емітерний перехід закрито, а …

У біполярному транзисторі носії заряду рухаються від емітера через тонку базу до колектора. База відокремлена від емітера та колектора p-n-переходами. Струм протікає через транзистор Тільки тоді, коли носії заряду інжектуються з емітера основою через p-n-переход.